奇梦达与尔必达合作推出4F2 cell概念

    两大全球记忆体领导供应商奇梦达公司与尔必达公司近期宣布签定共同开发技术合作意向书，将联手开发新一代的记忆体晶片(DRAM)。在此项合作计划，奇梦达将提供其创新Buried Wordline 的关键技术，尔必达则将提供其先进的堆叠技术。此项策略技术合作将可结合两家公司的力量，加速在DRAM 4F2 cell尺寸产品蓝图的发展。 两家公司计划将在2010 年推出此共同开发、达到40奈米世代 的创新4F2 cell 概念，未来并将进一步推展至30奈米世代。

    奇梦达公司总裁暨执行长罗建华(Kin Wah Loh)表示：“此项与尔必达的策略合作是对我们创新Buried Wordline 技术的最大肯定，奇梦达并希望藉由此项合作关系加速小尺寸4F2 cell的推出。此项技术合作为我们两大 DRAM 技术领导者创造了绝佳的机会，在研发与未来共同量产的资源上达到更好的经济规模。”

    尔必达社长暨执行长？本幸雄(Yukio SakaMOTO)表示:“我们在研发上持续的努力，使我们能够在DRAM技术上保持领先。在目前既艰困又高度竞争的市场环境下，更快及更有效能的研发新技术愈趋重要。我们相信这次与奇梦达共同发展的合作，将更加速与强化我们在技术上的领先，带领我们迈向DRAM市场中的顶尖地位。”